什么是半导体陶瓷电容器

       半导化陶瓷作为电容器介质而言,是利用其外表面或晶界层形成的绝缘层作为电介质的,其实际厚度大约为基体厚度的 1/50,所以电容量值为一般陶瓷电容器的数十倍。半导体陶瓷电容器介质有三种类型:表面阻挡层型、电价补偿型(或称还原再氧化型)和晶界层型。表面阻挡层型和电价补偿型又统称为表面层型。

       晶界层电容器又称为边界层电容器。晶界层电容器介电常数非常高,绝缘电阻较高(>10°Ω·cm),额定工作电压也较高(~100V),可靠性好,是目前应用最广泛的半导体陶瓷电容器。常见的有 BaTiO 3 系和 SrTiO3系。
       在制造晶界层电容器时，为使BaTiO:成为电导率较高的半导体瓷,通常会加入施主杂质,并在还原气氛中烧成。在获得导电性能良好的半导瓷后,再通过在瓷体表面涂覆 Mn、 Cu、Bi等氧化物,并在氧化气氛下高温(1050~1350℃)热处理。由于杂质在BaTiO，半导瓷晶界中的扩散速率远大于晶粒内的速率,所以这些氧化物通过开口气孔渗人瓷体,再沿晶界进行扩散,在晶界上形成作为介质的氧化绝缘层(0.5~2μm),该绝缘层的绝缘电阻率可达1012~10°Ω·cm。晶界层陶瓷电容器相当于很多小电容器的互相串联和并联,因此介电常数非常高,目前生产的晶界层陶瓷电容器的ε最高可达 80000。