离子谱

       离子谱是通过检测从表面发射出来的离子（一次离子或二次离子）的能量大小和角度分布以及离子类型等对表面进行分析的。

       离子散射谱（ ISS ）是利用与表面作用的离子（一次离子）与表面作用后发生散射，测定散射离子的能量及其分布，由此而获取表面的信息。用来分析表面的离子散射谱有低能离子谱和高能离子谱两类。

      低能离子散射谱（ LEISS ）是用0.1~10keV的平行离子束，经一定的人射角，与要分析样品的表面（靶面）作用，人射的一次离子与表面原子（离子）产生准弹性碰撞（满足能量守恒和动量守恒关系）。根据一次离子的散射角度及其能量的分布，可以推算出表面原子的质量、化学成分等信息。
       高能离子散射谱（ HEISS ）又称卢瑟福背散射谱（ RBS )，是1957年由 Rubin 、 Passell 和 Bailey 三人共同发明的。散射用1~30MeV离子束（通常用 He +)，与固体作用的离子束的宽度为10~1μ um 。由于 He ＊一次离子质量轻、离子半径小又具有高能，可以进入原子内部，与核发生作用。这种作用具有弹性碰撞的性质，所以进入表面一定深度的离子，又被背散射出来，能量由原来的 E 。变为 kEo , k 称反冲因子。反冲因子 k 的大小与表面的原子质量、原子的电子结构与离子进入的深度等因素有关。通过对 k 的测定和分析，可以对表面成分、同位素等进行检测。
      RBS 可以进人样品一定的深度，最合适用来分析多层膜的成分和确定相对厚度。
      对于完整结构的表面，转动样品某一角度后， RBS 中的尺寸较小的高能 Het 离子，可以进人样品一定深度而不发生散射；如果表面存在重构或者有明显缺陷时，则 Het 离子很快被散射出来，这称为通道效应，它可以用来研究表面重构与表面缺陷。
      通常高能 Het 离子束由回旋加速器来产生，所以在所有的表面分析中，以 RBS 的分析
费用最为昂贵。