电容器介质材料是什么

       传统电容器的基本结构由两个平行的导电极板和充于其间的电介质组成。电容器的种类繁多,特性各异,其中起关键作用的是电介质材料。电容器的电介质材料主要有四个方面要求。首先,为达到高比容量的目的,应采用介电常数ε值尽可能高的材料。其次,为了保证电容器具有纯容抗,避免因极化过程产生能量损耗,导致发热,要求具有尽可能低的损耗角正切(tan8)值,特别要求在高频或脉冲条件使用时,tanδ值要低。第三,电容器电介质还应具有高的绝缘电阻值,并保证电阻值在不同频率与温度条件下尽可能稳定,避免因为杂质的分解和材料的老化等引起绝缘电阻值下降。第四,要求电介质具有高的击穿电场强度。

       我们讨论的电容器介质材料,主要是指陶瓷电容器介质材料,包括高介陶瓷、半导体陶瓷以及多层陶瓷介质。强介电容器瓷主要是Ba。
陶瓷电容器的介质材料又称为“介电陶瓷”。介电陶瓷的种类繁多,分类方法有多种。如可根据工作频率划分为低频、中频、高频及微波陶瓷;又可根据介电常数值划分为低介、中介、高介、强介陶瓷等，还可根据ε值随电场或温度的线性程度和ε值的温度系数以及主晶相成分等来划分。
根据GB 5595-1985的分类方法,介电陶瓷分为三类。 I类瓷:用于制造I类( 高频)陶瓷电容器。Ⅱ类瓷:用于制造Ⅱ类(低频)陶瓷电容器。川类瓷:用于制造Ⅲ类(半导体)陶瓷电容器。
       由于I类瓷的tanδ很小,适合于制造高频电路中应用的电容器,故又称为高频瓷。而Ⅱ类瓷的tan8较大,只适用于低频条件下,因此又称为低频瓷。I类瓷的介电常数不高,其中介电常数相对较低的称为低介瓷。介电常数对较高的称为高介瓷。Ⅱ类瓷的介电常数普遍很高,故Ⅱ类瓷又被称为强介瓷,主要是BaTiO;及其固溶体。